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P0248SD10E

更新时间: 2024-02-13 20:25:36
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
25页 2691K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 355A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

P0248SD10E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:200 mAJESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:355 A断态重复峰值电压:1000 V
重复峰值反向电压:1000 V表面贴装:NO
端子形式:HIGH CURRENT CABLE端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

P0248SD10E 数据手册

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