Datasheet > P0109DN5XA4

P0109DN5XA4

更新时间： 2024-01-03 17:23:44

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	60K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),500MA I(T),SOT-223

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

P0109DN5XA4 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
关态电压最小值的临界上升速率：	50 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.001 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	0.1 mA
通态非重复峰值电流：	8 A	最大通态电压：	1.95 V
最大通态电流：	500 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

P0109DN5XA4 数据手册

P01xxxN

Fig.7 : Non repetitive surge peak on-state current

for a sinusoidal pulse with width : tp 10ms, and

corresponding value of I²t.

Fig.8 : On-state characteristics (maximum val-

ues).

(A). I t (A s)

(A)

TSM

100

Tj initial = 25^oC

Tj initial

25^oC

TSM

Tj max

Vto =0.95V

Rt =0.600

(V)

tp(ms)

0.1

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

Fig.9 : Relative variation of holding current versus

gate-cathode resistance (typical values).

Ih(Rgk)

Ih(Rgk=1k

)

5.0

1.0

Tj=25 ^o

Rgk( )

0.1

1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 1.0E+04 1.0E+05 1.0E+06

4/6

1 2 345 6

下载PDF

与P0109DN5XA4相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
P0109MA	STMICROELECTRONICS	0.8A, 600V, SCR, TO-92	获取价格
P0109MA1AA3	STMICROELECTRONICS	0.8A, 600V, SCR, TO-92	获取价格
P0109MA5AL3	STMICROELECTRONICS	0.8A, 600V, SCR, TO-92	获取价格
P0109MN5XA4	STMICROELECTRONICS	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),500MA I(T),SOT-223	获取价格
P011000NS100[OHM]	RCD	Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, Hybrid, PDIP14, LOW PROFILE, PLASTIC, DIP-	获取价格
P01-1000NS-101B	RCD	PASSIVE SIP DELAY LINES, SINGLE OUTPUT	获取价格