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HL8343MG

更新时间： 2024-02-01 13:40:47

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描述
GaAlAs Laser Diode

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HL8343MG 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
Factory Lead Time：	12 weeks 6 days	风险等级：	5.59
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	标称输出功率：	50 mW
峰值波长：	852 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.6 mm	最大阈值电流：	40 mA
Base Number Matches：	1

HL8343MG 数据手册

HL8340MG

GaAlAs Laser Diode

ODE-208-067A (Z)

Rev.1

May 24, 2007

Description

The HL8340MG is 0.85 µm band GaAlAs laser diode with a multi-quantum well(MQW) structure. It is suitable as a

light source for sensor applications and various other types of optical equipment.

Features

Package Type

• HL8340MG: MG

Internal Circuit

•

Infrared light output: λp = 852 nm Typ

Optical output power: 50 mW (CW)

Low operating current: 75 mA Typ

Low operating voltage: 1.9 V Typ

Built-in monitor photodiode

Single longitudinal mode

Absolute Maximum Ratings

(T_C= 25°C)

Item

Optical output power

LD reverse voltage

Symbol

Ratings

Unit

P_O

V_R(LD)

PD reverse voltage

Operating temperature

Storage temperature

V_R(PD)

Topr

Tstg

–10 to +60

–40 to +85

°C

Optical and Electrical Characteristics

(T_C= 25°C)

Item

Threshold current

Slope efficiency

Operating current

Operating voltage

Symbol

Ith

Min

—

Typ

0.9

1.9

Max

Unit

Test Conditions

—

ηs

0.7

—

mW/mA 30 (mW)/(I_(40mW)– I_(10mW))

I_OP

V_OP

θ//

100

2.0

P_O= 50 mW

—

P_O= 50 mW

Beam divergence

P_O= 50 mW, FWHM

parallel to the junction

Beam divergence

perpendicular to the junction

θ⊥

P_O= 50 mW, FWHM

P_O= 50 mW

Lasing wavelength

Monitor current

λp

842

—

852

862

—

I_S

0.25

P_O= 50 mW, V_R(PD)= 5 V

Rev.1 May 24, 2007 page 1 of 4

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