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HL8335MG

更新时间： 2024-01-10 10:09:30

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描述
GaAIAs Laser Diode

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HL8335MG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	LD/MG, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN PHOTO DIODE	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-10 °C
光电设备类型：	LASER DIODE	标称输出功率：	40 mW
峰值波长：	850 nm	形状：	ROUND
尺寸：	1.6 mm	最大阈值电流：	70 mA
Base Number Matches：	1

HL8335MG 数据手册

HL8335MG

GaAIAs Laser Diode

ODE-208-058B (Z)

Rev.2

Jun. 13, 2006

Description

The HL8335MG is a high-power 0.8 µm band GaAlAs laser diode with a TQW (triple quantum well) structure.

It is suitable as a light source for various types of optical equipment.

Features

Package Type

• HL8335MG: MG

Internal Circuit

•

Infrared light output: λp = 840 to 860 nm

High Power: standard continuous operation at

40mW (CW), pulsed operation at 50mW

Built-in monitor photodiode

•

Single longitudinal mode

Absolute Maximum Ratings

(T_C= 25°C)

Item

Optical output power

Pulse optical output power

LD reverse voltage

Symbol

Ratings

Unit

P_O

50 *

P_O(pulse)

V_R(LD)

V_R(PD)

Topr

PD reverse voltage

Operating temperature

Storage temperature

–10 to +60

–40 to +85

°C

Tstg

°C

Note: Pulse condition : Pulse width ≤ 1 µs , duty ≤ 50%

Optical and Electrical Characteristics

(T_C= 25°C)

Item

Threshold current

Slope efficiency

Operating current

Symbol

Ith

Min

—

Typ

Max

Unit

Test Conditions

—

ηs

I_OP

θ//

0.4

—

0.5

120

0.9

160

mW/mA 24(mW) / (I_(32mW)– I_(8mW))

P_O= 40 mW

Beam divergence

P_O= 40 mW, FWHM

parallel to the junction

Beam divergence

θ⊥

P_O= 40 mW, FWHM

perpendicular to the junction

Lasing wavelength

Monitor current

λp

840

850

0.2

860

P_O= 40 mW

I_S

0.08

0.40

P_O= 40 mW, V_R(PD)= 5 V

Rev.2 Jun. 13, 2006 page 1 of 4

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