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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N3772G
2N3772G PDF预览

2N3772G

更新时间： 2024-01-24 11:20:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
High Power NPN Silicon Power Transistors

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2N3772G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.12
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：20 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：0.2 MHz
Base Number Matches：1

2N3772G 数据手册

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2N3771, 2N3772  
2N3771 is a Preferred Device  
High Power NPN Silicon  
Power Transistors  
These devices are designed for linear amplifiers, series pass  
regulators, and inductive switching applications.  
Features  
http://onsemi.com  
• Forward Biased Second Breakdown Current Capability  
20 and 30 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
NPN SILICON  
I
= 3.75 Adc @ V = 40 Vdc − 2N3771  
CE  
S/b  
= 2.5 Adc @ V = 60 Vdc − 2N3772  
CE  
• Pb−Free Packages are Available*  
40 and 60 VOLTS, 150 WATTS  
MAXIMUM RATINGS (Note 1)  
Rating  
Symbol 2N3771 2N3772 Unit  
MARKING  
DIAGRAM  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
40  
50  
50  
5.0  
60  
80  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
V
CEX  
V
100  
7.0  
CB  
EB  
V
Collector Current − Continuous  
Peak  
I
30  
30  
20  
30  
2N377xG  
AYYWW  
C
MEX  
TO−204AA (TO−3)  
Base Current −  
Continuous  
Peak  
I
7.5  
15  
5.0  
15  
Adc  
B
CASE 1−07  
STYLE 1  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
150  
0.855  
W
W/°C  
C
D
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
°C  
2N377x = Device Code  
x = 1 or 2  
J
stg  
G
A
YY  
WW  
MEX  
= Pb−Free Package  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Country of Origin  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
q
1.17  
°C/W  
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Shipping  
Device  
Package  
1. Indicates JEDEC registered data.  
2N3771  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
2N3771G  
TO−204  
(Pb−Free)  
2N3772  
TO−204  
100 Units / Tray  
100 Units / Tray  
2N3772G  
TO−204  
(Pb−Free)  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
October, 2006 − Rev. 11  
2N3771/D  
 
12345

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