2N3442G

更新时间： 2024-01-10 03:13:33

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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High−Power Industrial Transistors

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2N3442G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-204AA
包装说明：	TO-3, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.13
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	0.08 MHz
Base Number Matches：	1

2N3442G 数据手册

2N3442

2N4347

HIGH POWER INDUSTRIAL TRANSISTORS

NPN silicon transistors designed for applications in industrial and commercial equipment including high

fidelity audio amplifiers, series and shunts regulators and power switches.

•

Low Collector-Emitter Saturation Voltage –

_CE(sat)= 1.0 Vdc (Max) @ I_C= 2.0 Adc – 2N4347

•

Collector-Emitter Sustaining Voltage-

VCEO(sus) = 120 Vdc (Min) – 2N4347

140 Vdc (Min) – 2N3442

•

Excellent Second-Breakdown Capability

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N4347

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2N3442

2N4347

2N3442

120

140

160

#Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_CB

V_EB

Vdc

7.0

5.0

15 (**)

3.0

7.0

8.0

100

117

0.57

0.67

Continuous

I_C

Collector Current

Adc

Peak

Continuous

Peak

I_B

Base Current

@ T_C= 25°

Total Device Dissipation

Watts

W/°C

P_D

Derate

above 25°

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

T_S

°C

-65 to +200

(**) This data guaranteed in addition to JEDEC registered data.

CO MSET SEMICO N DUCTO RS

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