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NTE124

更新时间： 2024-01-13 05:18:26

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NTE		晶体晶体管高压
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Power Output

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NTE124 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.94
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	20 W	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz

NTE124 数据手册

Electrical Charactersitics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 5mA, I_B= 0, Note 1

300

–

Collector–Emitter Cutoff Current

Collector–Base Cutoff Current

Collector Cutoff Current

I_CEO

I_CBO

I_CEV

V_CE= 200V, I_B= 0

0.25 mA

0.1 mA

0.5 mA

1.0 mA

V_CB= 325V, I_E= 0

–

V_CE= 300V, V_EB(off)= 1.5V

–

V_CE= 200V, V_EB(off)= 1.5V,

–

T_C= +100°C

Emitter–Base Cutoff Current

ON Characteristics (Note 1)

DC Current Gain

I_EBO

V_EB= 6V

–

0.1 mA

h_FE

I_C= 50mA, V_CE= 10V

I_C= 100mA, V_CE= 10V

I_C= 250mA, V_CE= 10V

–

200

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter “ON” Voltage

V_CE(sat)I_C= 250mA, I_B= 25mA

V_BE(on)I_C= 100mA, V_CE= 10V

2.5

1.0

–

Small–Signal Characteristics

Current–Gain – Bandwidth Product

f_T

I_C= 100mA, V_CE= 10V,

f = 10MHz, Note 2

–

MHz

Output Capacitance

C_ob

h_fe

V_CB= 100V, I_E= 0, f = 100kHz

I_C= 100mA, V_CE= 20V, f = 1kHz

–

Small–Signal Current Gain

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

Note 2. f_T= |h_fe| ꢀ frequency

.485 (12.3)

Dia

.295 (7.5)

.062 (1.57)

.031 (0.78) Dia

.360 (9.14)

Min

.960 (24.3)

.580 (14.7)

Base

.147 (3.75) Dia

(2 Places)

.200

(5.08)

.145 (3.7) R Max

Collector/Case

Emitter

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