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NSI8100N

更新时间: 2024-04-09 18:58:41
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纳芯微 - NOVOSENSE 时钟
页数 文件大小 规格书
23页 2813K
描述
NSi8100x系列是高可靠性的双向l2C数字隔离器。提供符合UL1577的多种电气隔离耐压(3.75kVrms, 5kVrms),且具有高电磁抗扰度和低辐射的特性。支持I2C时钟高达2MHZ,共

NSI8100N 数据手册

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NSi8100  
Datasheet (EN) 2.4  
4. Thermal Characteristics  
Parameters  
Symbol  
SOW16  
SOP8  
Unit  
IC Junction-to-Air Thermal Resistance  
Junction-to-case (top) thermal resistance  
Junction-to-board thermal resistance  
θJA  
86.5  
137.7  
/W  
θJC(top)  
θJB  
49.6  
49.7  
54.9  
71.7  
/W  
/W  
5. Specifications  
5.1. Electrical Characteristics  
(VDD1=2.5V~5.5V, VDD2=2.5V~5.5V, Ta=-40to 125. Unless otherwise noted, Typical values are at VDD1 = 5V, VDD2 = 5V, Ta =  
25)  
Parameters  
Symbo  
l
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Comments  
Power on Reset  
VDDPOR  
2.2  
V
POR threshold as during  
power-up  
VDD HYS  
trbs  
0.1  
40  
V
POR threshold Hysteresis  
Start Up Time after POR  
Common Mode Transient Immunity  
SDA, SCL logic low leakage  
Side 1 Logic Level  
usec  
kV/us  
uA  
CMTI  
IIL  
±100  
400  
±150  
See figure 5.8  
15  
Input Threshold  
VILT1  
mV  
mV  
Input Threshold at falling  
edge  
VIHT1  
600  
800  
Input Threshold at rising  
edge  
VIT_HYS1  
VOL1  
100  
mV  
mV  
mV  
Input Threshold Hysteresis  
Low Level Output Voltage  
650  
70  
IOL ≤ 4mARPULL UP=1K  
Low-level output voltage to high-  
level input voltage threshold  
difference  
ΔVOIT1  
Side 2 Logic Level  
High Level Input Voltage  
Low Level Input Voltage  
Low Level Output Voltage  
VIH2  
VIL2  
VOL  
VDD2*0.7  
V
V
V
VDD2*0.3  
0.5  
IOL ≤ 30mA  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Page 6  

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