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2N3035

更新时间: 2024-02-13 19:11:15
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NJSEMI 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 202K
描述
N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS

2N3035 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:BCY
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.55
最大集电极电流 (IC):0.2 A配置:SINGLE
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2N3035 数据手册

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