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2KBP08M

更新时间: 2024-02-03 09:34:30
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NJSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 114K
描述
2.0AMPERE MINIATURE SINGLE PHASE SILICON BRIDGE

2KBP08M 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSIP-W4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6最小击穿电压:800 V
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:165 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

2KBP08M 数据手册

  

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