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2SJ687-ZK-E1-AY

更新时间： 2024-02-16 11:19:43

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	161K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SJ687-ZK-E1-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ687-ZK-E1-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ687

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SJ687 is P-channel MOSFET device and a excellent switch that can be driven by a low power-supply voltage.

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 7.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)

R^DS(on)2= 9.0 mΩ MAX. (VGS = −3.0 V, ID = −10 A)

R^DS(on)3= 20 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −10 A)

• 2.5 V drive available

• Avalanche capability ratings

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

2SJ687-ZK-E1-AY ^Note

2SJ687-ZK-E2-AY ^Note

TO-252 (MP-3ZK)

0.27 g TYP.

Tape 2500 p/reel

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

−20

m12

m20

m60

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

−20

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = −10 V, RG = 25 Ω, VGS = −12 → 0 V

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18719EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published May 2007 NS

Printed in Japan

2007

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ687-ZK-E2-AY	NEC	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
2SJ73	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| P-CHANNEL \| DUAL \| 5MA I(DSS)	获取价格
2SJ74	TOSHIBA	P CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)	获取价格
2SJ74_07	TOSHIBA	Low Noise Audio Amplifier Applications	获取价格
2SJ74BL	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| P-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| TO-92	获取价格
2SJ74-BL	TOSHIBA	TRANSISTOR P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur	获取价格

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