5秒后页面跳转

Datasheet > NE553BA

NE553BA PDF预览

NE553BA

更新时间： 2024-02-21 07:07:17

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	66K
描述
IC QUAD PULSE; RECTANGULAR, TIMER, PDIP16, Analog Waveform Generation Function

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE553BA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.83
模拟集成电路 - 其他类型：	PULSE; RECTANGULAR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
功能数量：	4	端子数量：	16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
最大供电电流 (Isup)：	32 mA	最大供电电压 (Vsup)：	16 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

NE553BA 数据手册

浏览型号NE553BA的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号NE553BA的Datasheet PDF文件第3页

12 3

下载PDF

与NE553BA相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NE553F	NXP	IC QUAD PULSE; RECTANGULAR, TIMER, CDIP16, Analog Waveform Generation Function	获取价格
NE55410GR	CEL	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER	获取价格
NE55410GR	NEC	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER	获取价格
NE55410GR_07	CEL	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER	获取价格
NE55410GR-T3-AZ	NEC	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER	获取价格
NE55410GR-T3-AZ	CEL	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER	获取价格

与NE553BA相关文章

您还可以找

热门产品

PCB打样/小批量

BOM智能配单

精选活动

PCBA打样特惠

四六层板品质升级

铝基板品质升级

一体化电子制造

服务支持

关于捷配

帮助中心

全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号

微信公众号

捷配网-微信公众号

抖音公众号

资质认证：

合作快递：

支付方式：

Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司

浙公网安备 33010502006866号浙ICP备10014259号-119 营业执照 ICP证