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Datasheet > 存储 > SRAM> N01L63W3AB25I
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N01L63W3AB25I

更新时间： 2024-01-03 20:05:34
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 216K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 64K × 16 bit

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N01L63W3AB25I 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.55Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48长度：8 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LFBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.34 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.8 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.014 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6 mmBase Number Matches：1

N01L63W3AB25I 数据手册

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N01L63W3A  
Functional Block Diagram  
Word  
Address  
Inputs  
Address  
Decode  
Logic  
A0 - A3  
Input/  
Output  
Mux  
Page  
4K Page  
x 16 word  
x 16 bit  
Address  
Inputs  
Address  
Decode  
Logic  
I/O0 - I/O7  
A4 - A15  
and  
RAM Array  
Buffers  
I/O8 - I/O15  
CE  
WE  
OE  
UB  
LB  
Control  
Logic  
Functional Description  
1
CE  
WE  
OE  
UB  
LB  
MODE  
POWER  
I/O0 - I/O15  
Standby2  
Active  
Write3  
Read  
Active  
H
L
L
L
L
X
X
L
X
X
X3  
X
H
L1  
L1  
L1  
X
H
L1  
L1  
L1  
High Z  
High Z  
Data In  
Data Out  
High Z  
Standby  
Active  
Active  
Active  
Active  
H
H
L
H
1. When UB and LB are in select mode (low), I/O0 - I/O15 are affected as shown. When LB only is in the select mode only I/O0 - I/O7  
are affected as shown. When UB is in the select mode only I/O8 - I/O15 are affected as shown.  
2. When the device is in standby mode, control inputs (WE, OE, UB, and LB), address inputs and data input/outputs are internally  
isolated from any external influence and disabled from exerting any influence externally.  
3. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.  
1
Capacitance  
Item  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
Min  
Max  
8
Unit  
pF  
VIN = 0V, f = 1 MHz, TA = 25oC  
VIN = 0V, f = 1 MHz, TA = 25oC  
Input Capacitance  
I/O Capacitance  
CI/O  
8
pF  
1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested  
Rev. 9 | Page 2 of 10 | www.onsemi.com  
1234567...10

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