Datasheet > N01L6183AB7I

N01L6183AB7I

更新时间： 2024-01-11 12:17:16

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	244K
描述
1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

N01L6183AB7I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.4	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.34 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.016 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

N01L6183A

Timing Waveform of Write Cycle (WE control)

Address

, t

LBW UBW

LB, UB

High-Z

Data Valid

Data In

Data Out

WHZ

High-Z

Timing Waveform of Write Cycle (CE Control)

Address

, t

LBW UBW

UB, LB

Data Valid

Data In

WHZ

High-Z

Data Out

Rev. 8 | Page 7 of 10 | www.onsemi.com

1...4 5 678 9 10

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
N01L6183AB7IT	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183AT	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183AT2	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183AT27I	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183AT27IT	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格
N01L6183AT7I	ONSEMI	1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM	获取价格