MV1863D

更新时间： 2024-02-24 18:06:42

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ASI		二极管变容二极管
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描述
SILICON ABRUPT TUNING VARACTOR DIODE

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MV1863D 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	X-CXMW-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.83
最小击穿电压：	60 V	配置：	SINGLE
二极管电容容差：	10%	最小二极管电容比：	2.6
标称二极管电容：	4.7 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JESD-30 代码：	X-CXMW-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	MICROWAVE	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	300	最大重复峰值反向电压：	60 V
最大反向电流：	0.02 µA	反向测试电压：	55 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
变容二极管分类：	ABRUPT	Base Number Matches：	1

MV1863D 数据手册

MV1863D

SILICON ABRUPT TUNING VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 31

The ASI MV1863D is a Passivated

Epitaxial Silicon Abrupt Tuning

Varactor Diode.

MAXIMUM RATINGS

100 mA

60 V

P_DISS

T_J

500 mW @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +175 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

0.3 ^OC/W

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

NONE

SYMBOL

V_B

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_R= 10 µA

V_R= 55 V

I_R

C_T

T_R

R_S

100

5.17

3.3

µA

V_R= 4.0 V

C = -4/C = -60

V_R= 4.0 V

f = 1.0 MHz

f = 500 MHz

f = 100 MHz

f = 1.0 MHz

4.23

2.6

4.70

RATIO

Ohms

---

1.1

300

C_p

L_s

0.18

0.8

µH

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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