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超快速恢复二极管局域网 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 939K |  |
| 描述 | ||
| Silicon Power Recovery Diode | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PUFM-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 应用： | SUPER FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.3 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X3 | 最大非重复峰值正向电流： | 1500 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 最大输出电流： | 50 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向电流： | 25 µA | 最大反向恢复时间： | 0.09 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MURT10040_18 | GENESIC | Silicon Super Fast Recovery Diode |
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| MURT10040R | GENESIC | Silicon Super Fast Recovery Diode |
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| MURT10060 | GENESIC | Silicon Super Fast Recovery Diode |
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| MURT10060R | GENESIC | Silicon Super Fast Recovery Diode |
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| MURT10060R | AMERICASEMI | Silicon Power Recovery Diode |
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| MURT20005 | AMERICASEMI | HIGH POWER- SUPER FAST RECTIFIERS |
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