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MU9C4485L-90

更新时间: 2024-01-21 10:21:22
品牌 Logo 应用领域
MUSIC 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 2779K
描述
Content Addressable SRAM, 4KX64, CMOS, PQFP100

MU9C4485L-90 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:QFP, QFP80,.64SQReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:75 ns其他特性:LANCAM
JESD-30 代码:S-PQFP-G80JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:CONTENT ADDRESSABLE SRAM
内存宽度:64湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:80
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4KX64
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QFP
封装等效代码:QFP80,.64SQ封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.002 A子类别:SRAMs
最大压摆率:0.235 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:QUADBase Number Matches:1

MU9C4485L-90 数据手册

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