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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK)： | 22.22 MHz |
| 周期时间： | 45 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 9216 bit |
| 内存集成电路类型： | OTHER FIFO | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MU9C1902-35PC | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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| MU9C1902-35SC | ETC | x9 Asynchronous FIFO |
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| MU9C1965A-12TCC | MUSIC | Content Addressable SRAM, 1KX128, 85ns, CMOS, PQFP80 |
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| MU9C1965A-50TCC | MUSIC | Content Addressable SRAM, 1KX128, 40ns, CMOS, PQFP80 |
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| MU9C1965A-70TCC | MUSIC | Content Addressable SRAM, 1KX128, 52ns, CMOS, PQFP80 |
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| MU9C1965A-70TCI | MUSIC | Content Addressable SRAM, 1KX128, 70ns, CMOS, PQFP80 |
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