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MSA1162GT1 PDF预览

MSA1162GT1

更新时间： 2024-02-21 07:39:05
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 48K
描述
General Purpose Amplifier Transistors

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MSA1162GT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.95
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

MSA1162GT1 数据手册

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MSA1162GT1, MSA1162YT1  
General Purpose  
Amplifier Transistors  
PNP Surface Mount  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating: TBD  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Collector−Base Voltage  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
V
V
50  
Vdc  
7.0  
Vdc  
2
1
BASE  
EMITTER  
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
100  
200  
mAdc  
mAdc  
C
I
C(P)  
MARKING DIAGRAM  
3
Symbol  
Max  
200  
150  
Unit  
mW  
°C  
2
62x  
M
1
Power Dissipation  
P
D
SC−59  
Junction Temperature  
T
J
CASE 318D  
STYLE 1  
62 = Specific Device Code  
Storage Temperature  
T
stg  
−55 to  
+150  
°C  
x
= G or Y  
M
= Date Code  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise  
noted)  
A
ORDERING INFORMATION  
{
Device  
Package  
SC−59  
Shipping  
Characteristic  
Symbol Min Max  
Unit  
Collector−Emitter Breakdown Voltage (I  
V
V
V
50  
60  
7.0  
−
−
Vdc  
C
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
MSA1162GT1  
MSA1162YT1  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
= 2.0 mAdc, I = 0)  
B
SC−59  
Collector−Base Breakdown Voltage (I  
10 mAdc, I = 0)  
=
−
Vdc  
Vdc  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage (I  
10 mAdc, I = 0)  
=
−
†The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
E
C
Collector−Base Cutoff Current (V = 45  
I
I
0.1  
mAdc  
CB  
CBO  
Vdc, I = 0)  
E
Collector−Emitter Cutoff Current  
CEO  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
−
−
−
0.1  
2.0  
1.0  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0)  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0, T = 80°C)  
CE  
B
A
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 6.0 Vdc, I = 2.0 mAdc) MSA1162  
YT1  
h
FE  
−
120 240  
200 400  
CE  
C
MSA1162GT1  
Collector−Emitter Saturation Voltage (I  
V
−
0.5  
−
Vdc  
C
CE(sat)  
= 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
B
Current−Gain − Bandwidth Product  
f
T
MHz  
(I = 1 mA, V = 10.0 V, f = 10 MHz)  
80  
C
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
Publication Order Number:  
MSA1162GT1/D  
September, 2003 − Rev. 4  
1234

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