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MSA1162YT1G PDF预览

MSA1162YT1G

更新时间： 2024-01-22 07:50:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
General Purpose Amplifier Transistors

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MSA1162YT1G 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-59包装说明：CASE 318D-04, SC-59, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.19最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

MSA1162YT1G 数据手册

 浏览型号MSA1162YT1G的Datasheet PDF文件第2页 
MSA1162GT1, MSA1162YT1  
General Purpose Amplifier  
Transistors  
PNP Surface Mount  
http://onsemi.com  
Features  
• Moisture Sensitivity Level: 1  
• ESD Rating: TBD  
• Pb−Free Packages are Available  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
2
1
Collector−Base Voltage  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
BASE  
EMITTER  
Collector−Emitter Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
50  
Vdc  
7.0  
Vdc  
3
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
I
100  
200  
mAdc  
mAdc  
C
2
I
1
C(P)  
SC−59  
Characteristic  
Power Dissipation  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
mW  
°C  
CASE 318D  
STYLE 1  
P
D
Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
150  
J
MARKING DIAGRAM  
T
stg  
−55 to +150  
°C  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are  
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and  
reliability may be affected.  
62x M G  
G
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
62x = Device Code  
x = G or Y  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
M
G
= Date Code*  
= Pb−Free Package  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
(I = 2.0 mAdc, I = 0)  
V
50  
−
Vdc  
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
(Note: Microdot may be in either location)  
Collector−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
V
V
60  
7.0  
−
−
−
Vdc  
Vdc  
*Date Code orientation may vary depending  
upon manufacturing location.  
C
E
Emitter−Base Breakdown Voltage  
(I = 10 mAdc, I = 0)  
E
C
ORDERING INFORMATION  
Collector−Base Cutoff Current  
(V = 45 Vdc, I = 0)  
I
I
0.1  
mAdc  
CBO  
CEO  
†
Device*  
Package  
Shipping  
CB  
E
Collector−Emitter Cutoff Current  
(V = 10 Vdc, I = 0)  
MSA1162GT1  
MSA1162GT1G  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
−
−
−
0.1  
2.0  
1.0  
mAdc  
mAdc  
mAdc  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0)  
SC−59  
(Pb−Free)  
CE  
B
(V = 30 Vdc, I = 0, T = 80°C)  
CE  
B
A
DC Current Gain (Note 1)  
(V = 6.0 Vdc, I = 2.0 mAdc)  
h
FE  
−
MSA1162YT1  
SC−59  
3000/Tape & Reel  
3000/Tape & Reel  
CE  
C
MSA1162YT1  
MSA1162GT1  
120  
200  
240  
400  
MSA1162YT1G  
SC−59  
(Pb−Free)  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
(I = 100 mAdc, I = 10 mAdc)  
V
−
0.5  
Vdc  
CE(sat)  
*The “T1” suffix refers to a 7 inch reel.  
C
B
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Current−Gain − Bandwidth Product  
(I = 1 mA, V = 10.0 V, f = 10 MHz)  
f
MHz  
T
80  
−
C
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, D.C. ≤ 2%.  
1
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
Publication Order Number:  
January, 2006 − Rev. 5  
MSA1162GT1/D  
 
12

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