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MPSA26

更新时间: 2024-02-26 22:50:36
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三星 - SAMSUNG 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 260K
描述
NPN (DRALINGTON TRANSISTOR)

MPSA26 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.74基于收集器的最大容量:125 pF
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):10000
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

MPSA26 数据手册

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与MPSA26相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
MPS-A26 ETC TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92

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MPSA26-18F CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18F, 3 PIN

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MPSA26-18R CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-18R, 3 PIN

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MPSA26-5F CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5F, 3 PIN

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MPSA26-5T1 CENTRAL Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, TO-92-5T1, 3 PIN

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