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MMBT3904-7 PDF预览

MMBT3904-7

更新时间： 2024-02-02 06:55:38
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 57K
描述
NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT3904-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.74Samacsys Description：Bipolar Transistors - BJT 40V NPN SS Trans 60Vceo 6Vebo 200mA
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.2 A
基于收集器的最大容量：4 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHz最大关闭时间（toff）：250 ns
最大开启时间（吨）：70 nsVCEsat-Max：0.3 V

MMBT3904-7 数据手册

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@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICEX  
IC = 10mA, IE = 0  
60  
40  
6.0  
¾
¾
¾
¾
50  
50  
V
V
IC = 1.0mA, IB = 0  
IE = 10mA, IC = 0  
V
V
V
CE = 30V, VEB(OFF) = 3.0V  
CE = 30V, VEB(OFF) = 3.0V  
nA  
nA  
IBL  
Base Cutoff Current  
¾
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
I
C = 100µA, VCE = 1.0V  
40  
70  
¾
¾
300  
¾
IC = 1.0mA, VCE = 1.0V  
IC  
IC  
=
=
10mA, VCE = 1.0V  
50mA, VCE = 1.0V  
hFE  
DC Current Gain  
100  
60  
¾
IC = 100mA, VCE = 1.0V  
30  
¾
IC = 10mA, IB = 1.0mA  
IC = 50mA, IB = 5.0mA  
0.20  
0.30  
VCE(SAT)  
VBE(SAT)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base- Emitter Saturation Voltage  
¾
V
V
IC = 10mA, IB = 1.0mA  
IC = 50mA, IB = 5.0mA  
0.65  
¾
0.85  
0.95  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Output Capacitance  
VCB = 5.0V, f = 1.0MHz, IE = 0  
VEB = 0.5V, f = 1.0MHz, IC = 0  
Cobo  
Cibo  
hie  
¾
¾
4.0  
8.0  
10  
pF  
pF  
Input Capacitance  
Input Impedance  
1.0  
0.5  
100  
1.0  
kW  
x 10-4  
hre  
Voltage Feedback Ratio  
Small Signal Current Gain  
Output Admittance  
8.0  
400  
40  
V
CE = 10V, IC = 1.0mA,  
f = 1.0kHz  
hfe  
¾
hoe  
mS  
VCE = 20V, IC = 10mA,  
f = 100MHz  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
Noise Figure  
300  
¾
MHz  
dB  
VCE = 5.0V, IC = 100mA,  
NF  
¾
5.0  
RS = 1.0kW, f = 1.0kHz  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Delay Time  
td  
tr  
¾
¾
¾
¾
35  
35  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
V
CC = 3.0V, IC = 10mA,  
BE(off) = - 0.5V, IB1 = 1.0mA  
Rise Time  
ts  
tf  
Storage Time  
200  
50  
V
CC = 3.0V, IC = 10mA,  
I
B1 = IB2 = 1.0mA  
Fall Time  
(Note 3)  
Ordering Information  
Device  
Packaging  
Shipping  
MMBT3904-7  
SOT-23  
3000/Tape & Reel  
Notes:  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
Marking Information  
K1N = Product Type Marking Code  
YM = Date Code Marking  
Y = Year ex: N = 2002  
M = Month ex: 9 = September  
K1N  
Date Code Key  
Year  
1998  
1999  
2000  
2001  
2002  
2003  
2004  
2005  
2006  
2007  
2008  
2009  
Code  
J
K
L
M
N
P
R
S
T
U
V
W
Month  
Code  
Jan  
Feb  
March  
Apr  
May  
Jun  
Jul  
Aug  
Sep  
Oct  
Nov  
Dec  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
O
N
D
DS30036 Rev. 11 - 2  
2 of 3  
MMBT3904  
123

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