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MM3Z5229B

更新时间： 2024-02-20 07:07:29

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管齐纳二极管
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描述
Silicon Planar Zener Diodes

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MM3Z5229B 数据手册

MM3Z5221B~MM3Z5267B

Silicon Planar Zener Diodes

PINNING

DESCRIPTION

Cathode

Features

• Total power dissipation: Max. 300 mW

• Small plastic package suitable for

surface mounted design

Anode

• Tolerance approximately ± 5%

Top View

Simplified outline SOD-323 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

300

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

417

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

C/W

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.9

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3 4

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