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MM1Z6V8

更新时间： 2024-02-21 21:12:58

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金誉半导体 - HTSEMI		二极管齐纳二极管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	229K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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MM1Z6V8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-609代码：	e3	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

MM1Z6V8 数据手册

MM1Z2V0~MM1Z75

SILICON PLANAR ZENER DIODES

PINNING

Features

DESCRIPTION

Cathode

• Total power dissipation: max. 500 mW

• Small plastic package suitable for

surface mounted design

Anode

• Tolerance approximately ± 5%

Top View

Simplified outline SOD-123 and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

P_tot

Value

500

Unit

Power Dissipation

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_S

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

R_thA

Max.

340

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

C/W

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.9

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3 4

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