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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
晶体管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 196K |  |
| 描述 | ||
| Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-89, 3 PIN | ||
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 150 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 0.5 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SC5214-13-1C | MITSUBISHI | 暂无描述 |
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| 2SC5214-13-1D | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SC5214-13-1E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SC5214-T13-1D | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SC5214-T13-1E | MITSUBISHI | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, |
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| 2SC5216 | PANASONIC | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification/oscillation/mixing) |
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