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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CRDB-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 9 A | 基于收集器的最大容量： | 150 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 35 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SD1019_1 | MICROSEMI | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS VHF APPLICATIONS |
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| SD1019-02 | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| SD1019-05 | MICROSEMI | RF Power Bipolar Transistor, Very High Frequency Band, Silicon, NPN |
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| SD1019-2 | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| SD1019-5 | ASI | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
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| SD1019E3 | MICROSEMI | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, M130, 4 PI |
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