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MC7815ABD2T

更新时间: 2024-02-25 03:27:38
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安森美 - ONSEMI 线性稳压器IC调节器电源电路输出元件
页数 文件大小 规格书
32页 236K
描述
THREE-TERMINAL POSITIVE FIXED VOLTAGE REGULATORS

MC7815ABD2T 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:D2PAK
包装说明:D2PAK-3/2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.64Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSchematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=225556
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=225556Samacsys PartID:225556
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/MC7815ABD2TG.jpgSamacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/MC7815ABD2TG.jpg
Samacsys Pin Count:4Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:TO-XXX (Inc. DPAK)Samacsys Footprint Name:D2PAK-3
Samacsys Released Date:2016-04-20 15:08:30Is Samacsys:N
可调性:FIXED标称回动电压 1:2 V
最大绝对输入电压:35 V最大输入电压:30 V
最小输入电压:17.9 VJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3长度:10.02 mm
最大电网调整率:0.022%最大负载调整率:0.025%
湿度敏感等级:1功能数量:1
输出次数:1端子数量:2
工作温度TJ-Max:125 °C工作温度TJ-Min:-40 °C
最大输出电流 1:1 A最大输出电压 1:15.6 V
最小输出电压 1:14.4 V标称输出电压 1:15 V
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TO-263
封装等效代码:SMSIP3H,.55TB封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG包装方法:RAIL
峰值回流温度(摄氏度):245认证状态:Not Qualified
调节器类型:FIXED POSITIVE SINGLE OUTPUT STANDARD REGULATOR座面最大高度:4.572 mm
子类别:Other Regulators表面贴装:YES
技术:BIPOLAR端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:2.54 mm
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:4%宽度:9.1945 mm
Base Number Matches:1

MC7815ABD2T 数据手册

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MC7800, MC7800A, NCV7805  
V
in  
MC7800  
R24  
50  
D2  
Zener  
LAT 3 A  
Q18  
LAT  
Q17  
R19  
27.5 k  
Q19  
QNPN  
Q20  
QNPN  
C3 1.0 P  
R14  
1.0 k  
Q10  
QNPN  
R15  
680  
R18  
100 k  
R21  
600  
R23  
0.2  
R22  
100  
V
out  
5.01  
Q7  
QNPN  
Q5  
QNPN 2  
R30  
18 k  
R17  
9.0 k  
Q12  
QNPN  
Sense  
Q9  
QNPN 2  
Q6  
QNPN  
R12  
3.0 k  
R29  
9.0 k  
R11  
15 k  
D1  
Zener  
Q15  
QNPN  
R25  
6.0 k  
R28  
9.0 k  
R1  
10.66 k  
R10  
3340−(3316ACT)  
R16  
600  
R20  
17500  
R26  
3.0 k  
R27  
9.0 k  
Q8  
QNPN  
R2  
1.56 k  
R9  
3.0 k  
R13  
11660  
R5  
4.5 k  
SUB  
Q11 2  
Q14  
QNPN  
Q1  
C1  
30 P  
C2  
3.0 P  
N+  
QNPN 6  
Q4  
QNPN  
Q13  
QNPN  
Q3  
QNPN  
Q2  
R3  
Q16  
QNPN 4  
R6  
1.0 k  
Diode  
R7  
14 k  
R8  
5.0 k  
1.8 k  
This device contains 22 active transistors.  
Figure 1. Representative Schematic Diagram  
http://onsemi.com  
2

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