MA3200-HTMG

更新时间： 2024-02-03 11:39:02

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松下 - PANASONIC		/
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2页	31K
描述
Zener Diode, 0.2W, Silicon, Unidirectional

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MA3200-HTMG 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	180 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	20 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	5.76%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

MA3200-HTMG 数据手册

Zener Diodes Composite Elements

MA111

MA3200W

Silicon planer type

Unit : mm

2.8 ⁺^–0⁰^.^.³²

Constant voltage, constant current, waveform

cripper and surge absorption circuit

0.65±0.15

1.5 ⁺^–0⁰^.^.⁰²⁵⁵

0.65±0.15

0.5R

■ Features

●

Mini type package (4-pin)

●

Two-element wiring in parallel of MA3200

■ Absolute Maximum Ratings (Ta= 25˚C)

Rating

Unit

Parameter

Symbol

I_F(AV)

I_FRM

0.1 to 0.3

100

Single

Double

Single

Double

Single

Double

0.4±0.2

1 : Cathode 1

2 : Cathode 2

3 : Anode 2

4 : Anode 1

Average forward current

200

Instanious forward current

Total power dissipation

150

I_FRM

Mini Type Package (4-pin)

150

P_tot

■ Internal Connection

110

Non-repetitive reverse surge power dissipation

Junction temperature

P_ZSM

T_j

125

˚C

– 55 to + 125

˚C

Storage temperature

*¹With a printed-circuit board

T_stg

t=100µ s, T_j=125˚C

■ Electrical Characteristics (Ta= 25˚C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Condition

min

typ

0.8

max

0.9

22.0

Unit

V_F

I_F=10mA

I_Z= 5mA

V_R= 13V

I_Z= 5mA

Zener voltage

V_Z*²

R_Z

17.0

20.0

Ω

Operating resistance

Reverse current

I_R

S_Z*³

µA

Temperature coefficient of zener voltage

Terminal capacitance

12.4

16.4

18.4

mV/˚C

C_D

V_R= 0V, f=1MHz

¹: The V_Zvalue is for the temperature of 25˚C. In other cases, carry out the temperature compensation.

²: Guaranteeed at 20ms after power application

³: T_j= 25 to 125˚C

■ Marking

20W

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