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M5M5256BVP-12LT

更新时间: 2024-01-03 07:10:48
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28

M5M5256BVP-12LT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:SOP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
最长访问时间:120 ns其他特性:POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

M5M5256BVP-12LT 数据手册

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