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M381L3223EUM-LCC

更新时间： 2024-02-06 19:35:12

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	402K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

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M381L3223EUM-LCC 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM184
针数：	184	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.29	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.65 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.79 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

M381L3223EUM-LCC 数据手册

256MB, 512MB Unbuffered DIMM

DDR SDRAM

184Pin Unbuffered DIMM based on 256Mb E-die (x8, x16)

1.0 Ordering Information

Part Number

Density

Organization

32M x 64

32M x 72

64M x 64

64M x 72

Component Composition

Height

1,250mil

M368L3223ET(U)M-C(L)CC

M368L3223ET(U)N-C(L)B3

M381L3223ET(U)M-C(L)CC/B3

M368L6423ET(U)M-C(L)CC

M368L6423ET(U)N-C(L)B3

M381L6423ET(U)M-C(L)CC/B3

32Mx8 (K4H560838E) * 8EA

32Mx8 (K4H560838E) * 9EA

32Mx8 (K4H560838E) * 16EA

32Mx8 (K4H560838E) * 18EA

256MB

512MB

Note : Leaded and Lead-free(Pb-free) can be discriminated by PKG P/N (T : 66 TSOP with Leaded, U : 66 TSOP with Lead-free)

2.0 Operating Frequencies

CC(DDR400@CL=3)

B3(DDR333@CL=2.5)

Speed @CL2

Speed @CL2.5

Speed @CL3

CL-tRCD-tRP

133MHz

166MHz

200MHz

3-3-3

2.5-3-3

3.0 Feature

• VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR333

• VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR400

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe [DQ] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• Programmable Read latency : DDR333(2.5 Clock), DDR400(3 Clock)

• Programmable Burst length (2, 4, 8)

• Programmable Burst type (sequential & interleave)

• Edge aligned data output, center aligned data input

• Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

• Serial presence detect with EEPROM

• PCB : Height 1,250 (mil) & single (256, 512MB), double (1GB) sided

• SSTL_2 Interface

• 66pin TSOP II Leaded & Pb-Free(RoHS compliant) package

Rev. 1.2 July 2005

1 2 345 6 7...22

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与M381L3223EUM-LCC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
M381L3223FTM	SANKEN	184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die with 64/72-bit Non-ECC / ECC	获取价格
M381L3223FTM-CA2	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	获取价格
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M381L3223FTM-CC4	SAMSUNG	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.65ns, CMOS, DIMM-184	获取价格

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