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M381L3223EUM-LB3

更新时间: 2023-08-15 00:00:00
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
22页 402K
描述
DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

M381L3223EUM-LB3 数据手册

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256MB, 512MB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
6.0 Functional Block Diagram  
6.1 256MB, 32M x 64 Non ECC Module (M368L3223ET(U))  
(Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)  
CS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DM4  
DM/  
CS DQS  
DM/  
CS DQS  
Serial PD  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 2  
I/O 0  
I/O 7  
I/O 5  
I/O 3  
I/O 1  
I/O 7  
SCL  
WP  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 3  
I/O 6  
I/O 5  
I/O 0  
I/O 2  
D0  
D4  
SDA  
A0  
A1  
A2  
SA0 SA1  
SA2  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DM5  
DM/  
CS DQS  
DM/  
CS DQS  
V
V
SPD  
DDSPD  
DQ8  
DQ9  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 7  
I/O 5  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 1  
I/O 7  
I/O 5  
I/O 2  
I/O 0  
D0 - D7  
D0 - D7  
/V  
D1  
D5  
DD DDQ  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
D0 - D7  
D0 - D7  
VREF  
V
SS  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DM6  
D3/D0/D5  
DM/  
CS DQS  
DM/  
CS DQS  
Cap/Cap/Cap  
Cap/D1/D6  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 6  
I/O 5  
I/O 3  
I/O 0  
I/O 7  
I/O 4  
I/O 2  
I/O 1  
I/O 7  
I/O 5  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 6  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
D2  
D6  
R=120Ω  
CK0/1/2  
Card  
Edge  
CK0/1/2  
Cap/Cap/Cap  
D4/D2/C7  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DM7  
Cap  
Cap/Cap/Cap  
DM/  
CS DQS  
DM/  
CS DQS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 7  
I/O 4  
I/O 2  
I/O 1  
I/O 6  
I/O 5  
I/O 3  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 3  
I/O 2  
D3  
D7  
Notes :  
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended  
but may be changed.  
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be  
maintained as shown.  
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.  
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +  
5%  
* Clock Wiring  
DDR SDRAMs  
BA0 - BA1  
A0 - A12  
RAS  
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D7  
Clock  
Input  
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D7  
RAS : DDR SDRAMs D0 - D7  
CAS : DDR SDRAMs D0 - D7  
CKE : DDR SDRAMs D0 - D7  
WE : DDR SDRAMs D0 - D7  
*CK0/CK0 2 DDR SDRAMs  
*CK1/CK1 3 DDR SDRAMs  
*CK2/CK2 3 DDR SDRAMs  
CAS  
CKE0  
WE  
*Clock Net Wiring  
Rev. 1.2 July 2005  

与M381L3223EUM-LB3相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M381L3223EUM-LCC SAMSUNG DDR DRAM Module, 32MX72, 0.65ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-184

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M381L3223FTM-CAA SAMSUNG DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

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M381L3223FTM-CB3 SAMSUNG DDR DRAM Module, 32MX72, 0.7ns, CMOS, DIMM-184

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