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M0280RC200

更新时间： 2024-02-16 11:51:23

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力特 - LITTELFUSE		软恢复二极管
页数	文件大小	规格书
9页	693K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 280A, 2000V V(RRM), Silicon,

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M0280RC200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-MUPM-H1
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
应用：	SOFT RECOVERY	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.71 V
JESD-30 代码：	O-MUPM-H1	最大非重复峰值正向电流：	4950 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	280 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	2000 V	最大反向电流：	20000 µA
最大反向恢复时间：	2.8 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

M0280RC200 数据手册

Soft Recovery Diode Types M0280S/R#200 to M0280S/R#250

Characteristics

PARAMETER

MIN.

TYP. MAX. TEST CONDITIONS (Note 1)

UNITS

V_FM

Maximum peak forward voltage

1.71 I_FM=470A

V_T0

r_T

Threshold voltage

Slope resistance

1.28

0.92

m

V_FRM

Maximum forward recovery voltage

di/dt = 400A/µs

I_RRM

Q_rr

Q_ra

I_rm

Peak reverse current

730

342

265

Rated V_RRM

µC

Recovered charge

Recovered charge, 50% chord

Reverse recovery current

Reverse recovery time

I_FM=1000A, t_p=200µs, di/dt=150A/µs,

V_r=50V.

t_rr

2.8

µs

R_thJC

Thermal resistance, junction to case

Mounting torque

0.13

K/W

24.5

220

250

S/RJ housing option

S/RC housing option

W_t

Weight

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=125°C.

Data Sheet. Types M0280S/R#200 to M0280S/R#250 Issue 2

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November 2014

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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