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LS613

更新时间: 2024-01-27 16:54:33
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德州仪器 - TI 晶体光电晶体管光电晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 151K
描述
N.P.N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS

LS613 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:TTL COMPATIBLEColl-Emtr Bkdn Voltage-Min:50 V
配置:SINGLE最大暗电源:25 nA
红外线范围:YES标称光电流:3 mA
安装特点:THROUGH HOLE MOUNT功能数量:1
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR最大功率耗散:0.05 W
最长响应时间:0.000008 s形状:ROUND
子类别:Photo Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

LS613 数据手册

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