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LM6172AMJFQMLV

更新时间: 2024-02-02 02:59:41
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器
页数 文件大小 规格书
22页 1284K
描述
Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers

LM6172AMJFQMLV 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.71
Samacsys Description:Feedback Amplifiers放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER
架构:VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB):2.5 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB):3 µA最小共模抑制比:70 dB
标称共模抑制比:110 dB频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):2 µA最大输入失调电压:1500 µV
JESD-30 代码:R-GDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:10.16 mm低-偏置:NO
低-失调:NO微功率:NO
湿度敏感等级:1负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-5 V功能数量:2
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED功率:NO
可编程功率:NO认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度:5.08 mm
最小摆率:1700 V/us标称压摆率:3000 V/us
子类别:Operational Amplifier最大压摆率:3 mA
供电电压上限:18 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
总剂量:100k Rad(Si) V标称均一增益带宽:100000 kHz
最小电压增益:1778宽带:YES
宽度:7.62 mm

LM6172AMJFQMLV 数据手册

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LM6172QML  
LM6172QML Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback  
Amplifiers  
Literature Number: SNOSAR4A  

LM6172AMJFQMLV 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
LM6172AMJFQML TI

完全替代

Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers
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