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LL1608-FH1N2S

更新时间： 2024-01-23 07:13:47

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飞思卡尔 - FREESCALE		晶体晶体管
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12页	899K
描述
Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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LL1608-FH1N2S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0603
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8504.50.80.00	风险等级：	5.81
大小写代码：	0603	构造：	Multilayer Chip
型芯材料：	CERAMIC	直流电阻：	0.1 Ω
标称电感 (L)：	0.0012 µH	电感器应用：	RF INDUCTOR
电感器类型：	GENERAL PURPOSE INDUCTOR	功能数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装高度：	0.8 mm
封装长度：	1.6 mm	封装形式：	SMT
封装宽度：	0.8 mm	包装方法：	TR
最小质量因数（标称电感时）：	13	最大额定电流：	1 A
自谐振频率：	6000 MHz	系列：	LL1608(S TOL)
形状/尺寸说明：	RECTANGULAR PACKAGE	屏蔽：	NO
特殊特征：	INDUCTANCE TOLERANCE IS 0.3 NANO HENRY	表面贴装：	YES
端子位置：	DUAL ENDED	端子形状：	WRAPAROUND
测试频率：	100 MHz	容差：	25%
Base Number Matches：	1

LL1608-FH1N2S 数据手册

Document Number: MMA25312B

Rev. 0, 9/2012

Freescale Semiconductor

Technical Data

Heterojunction Bipolar Transistor

MMA25312BT1

Technology (InGaP HBT)

High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for

use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and

wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with

frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching

components with a 3 to 5 volt supply.

2300--2700 MHz, 26 dB

31 dBm

InGaP HBT

Features

•

Frequency: 2300--2700 MHz

P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz

Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz

OIP3: 40 dBm @ 2500 MHz

Active Bias Control (On--chip)

Single 3 to 5 Volt Supply

Single--ended Power Detector

Cost--effective QFN Surface Mount Package

In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.

CASE 2131--01

QFN 3×3

PLASTIC

Table 1. Typical CW Performance ⁽¹⁾

Table 2. Maximum Ratings

Rating

Supply Voltage

Symbol

Value

Unit

Characteristic

Symbol 2300 2500 2700

Unit

MHz

550

Small--Signal Gain

(S21)

24.5

Supply Current

dBm

°C

RF Input Power

Input Return Loss

(S11)

IRL

ORL

P1dB

-- 1 4

-- 11

-- 1 2

-- 1 3

-- 1 2

-- 1 5

29.8

Storage Temperature Range

stg

--65 to +150

150

(2)

Junction Temperature

°C

Output Return Loss

(S22)

2. For reliable operation, the junction temperature should not

exceed 150°C.

Power Output @

1dB Compression

dBm

1. V

= V

= 5 Vdc, T = 25°C, 50 ohm system, CW

BIAS A

CC1

CC2

Application Circuit

Table 3. Thermal Characteristics

(3)

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

°C/W

Case Temperature 91°C, V = V

= V

= 5 Vdc

BIAS

CC1

CC2

3. Refer to AN1955, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.freescale.com/rf.

Select Documentation/Application Notes -- AN1955.

MMA25312BT1

RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

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LL1608-FH22N0S	FREESCALE	获取价格	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
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LL1608-FH22NT	TOKO	获取价格	General Purpose Inductor, 0.022uH, 3%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD
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LL1608-FH27NJ	TOKO	获取价格	General Purpose Inductor, 0.027uH, 5%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0603, CHIP
LL1608-FH27NK	TOKO	获取价格	General Purpose Inductor, 0.027uH, 10%, 1 Element, Ceramic-Core, SMD, 0603, CHIP

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