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LH28F020SU-N

更新时间： 2022-12-11 20:33:28
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夏普 - SHARP /
页数 文件大小 规格书
31页 241K
描述
2M (256K 】 8) Flash Memory

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LH28F020SU-N 数据手册

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LH28F020SU-N  
2M (256K × 8) Flash Memory  
32-PIN TSOP  
TOP VIEW  
FEATURES  
• 256K × 8 Bit Configuration  
A11  
A9  
1
32  
31  
30  
OE  
A10  
CE  
• 5 V Write/Erase Operation (5 V V )  
PP  
2
3
– No Requirement for DC/DC Converter to  
A8  
Write Erase  
A13  
A14  
4
5
29  
28  
27  
26  
25  
24  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
GND  
• 80 ns Maximum Access Time  
A17  
WE  
6
7
• 16 Independently Lockable Blocks (16K)  
• 100,000 Erase Cycles per Block  
8
VCC  
VPP  
A16  
9
• Automated Byte Write/Block Erase  
– Command User Interface  
– Status Register  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
A0  
A15  
A12  
A7  
• System Performance Enhancement  
– Erase Suspend for Read  
– Two-Byte Write  
A6  
A1  
A5  
A2  
A4  
– Full Chip Erase  
A3  
• Data Protection  
28F020SUN80-1  
– Hardware Erase/Write Lockout during  
Power Transitions  
Figure 1. TSOP Configuration  
– Software Erase/Write Lockout  
32-PIN SOP  
TOP VIEW  
• Independently Lockable for Write/Erase on  
Each Block (Lock Block and Protect  
Set/Reset)  
VPP  
A16  
A15  
1
2
3
32  
31  
30  
VCC  
WE  
A17  
• 5 µA (TYP.) I in CMOS Standby  
CC  
• State-of-the-Art 0.55 µm ETOX™ Flash  
Technology  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
4
5
29  
28  
27  
26  
A14  
A13  
A8  
6
7
• Packages  
A9  
– 32-Pin, 525 mil. SOP Package  
– 32-Pin, 1.2 mm × 8 mm × 20 mm  
TSOP (Type I) Package  
8
25  
24  
A11  
OE  
9
A2  
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
23  
A10  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
28F020SUN80-20  
Figure 2. SOP Configuration  
1
1234567...31

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与LH28F020SU-N相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
LH28F020SUN-L12 SHARP Flash, 256KX8, 120ns, PDSO32, SOP-32

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