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LFTVS10-1F3

更新时间： 2024-02-08 22:43:33

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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7页	98K
描述
Transil, transient voltage suppressor

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技术参数
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LFTVS10-1F3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	S-PBGA-B4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.56
最小击穿电压：	10 V	击穿电压标称值：	10 V
最大钳位电压：	13 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	S-PBGA-B4	最大非重复峰值反向功率耗散：	350 W
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

LFTVS10-1F3 数据手册

Characteristics

LFTVS10-1F3

Characteristics

Table 1.

Symbol

Absolute maximum ratings (T_amb= 25 °C)

Parameter

Test condition

Value

Unit

Peak pulse power dissipation

(10/1000 µs pulse)

350

P_PP

T_jinitial = T_amb

Peak pulse power dissipation

(8/20 µs pulse)

Non repetitive surge peak forward

current

t_p= 10 ms

T_jinitial = T_amb

I_FSM

T_stg

T_j

Storage temperature range

-55 to +150

125

°C

Maximum operating junction temperature

Table 2.

Symbol

Electrical characteristics (T_amb= 25 °C)

Parameter

V_BR

I_RM

V_RM

V_CL

R_d

Breakdown voltage

Leakage current @ V_RM

Stand-off voltage

I_F

V_F

Clamping voltage

_CLV_BRV_RM

I_RM

Dynamic impedance

I_PP

αT

Peak pulse current

Voltage temperature coefficient

Forward voltage drop

Slope = 1/Rd

I_PP

V_F

Symbol

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

V_BR

I_RM

V_CL

V_F

I_R= 15 mA

V_RM= 8 V

I_PP= 1 A⁽¹⁾

µA

0.5

I_F= 850 mA⁽²⁾

1.05

αT

10^-4/ °C

C_line

V_R= 0 V, V_OSC= 30 mV, F = 1 MHz

200

1. 8 / 20 µs pulse waveform

2. DC current not recommended for more than 5 s. Even if diode failure mode is short circuit the bumps could

exceed melting temperature and the component disassembled from the board.

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