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L14N2

更新时间: 2024-01-15 20:13:50
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QT 晶体光电晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 252K
描述
HERMETIC SILICON PHOTOTRANSISTOR

L14N2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETIC, TO-18, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.7Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min:30 V
配置:SINGLE最大暗电源:100 nA
红外线范围:YESJESD-609代码:e0
标称光电流:6 mA安装特点:THROUGH HOLE MOUNT
功能数量:1最大通态电流:0.05 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
光电设备类型:PHOTO TRANSISTOR峰值波长:880 nm
最大功率耗散:0.6 W最长响应时间:0.000014 s
形状:ROUND子类别:Photo Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

L14N2 数据手册

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