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KM6164002AT-1500

更新时间： 2024-02-18 20:10:12
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 197K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

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KM6164002AT-1500 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM6164002AT-1500 数据手册

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PRELIMINARY  
KM6164002A, KM6164002AE, KM6164002AI  
CMOS SRAM  
Document Title  
256Kx16 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out.  
Operated at Commercial, Extended and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
RevNo.  
Rev. 0.0  
Rev. 0.5  
History  
Draft Data  
Remark  
Initial release with Design Target.  
Jun. 14th, 1996  
Design Target  
Release to Preliminary Data Sheet.  
Sep. 16th, 1996  
Preliminary  
0.1. Replace Design Target to Preliminary.  
0.2. Delete 12ns part but add 17ns part.  
0.3. Relax D.C and A.C parameters and insert new parameter(Icc1)  
with the test condition.  
0.3.1. Insert Icc1 parameter with the test condition as address is  
increased with binary count.  
0.3.2. Relax D.C and A.C parameters.  
Previous spec.  
(15/ - /20ns part)  
250/ - /240mA  
10/ - /12ns  
Relaxed spec.  
(15/17/20ns part)  
280/275/270mA  
12/13/14ns  
Items  
Icc  
tCW  
tAW  
10/ - /12ns  
12/13/14ns  
tWP(OE=H)  
tWP1(OE=L)  
tDW  
10/ - /12ns  
12/ - /14ns  
7/ - /9ns  
12/13/14ns  
15/17/20ns  
8/ 9/10ns  
Rev. 1.0  
Release to Final Data Sheet.  
Jun. 5th, 1997  
Final  
1.1. Delete Preliminary.  
1.2. Delete Icc1 parameter with the test condition.  
1.3. Update D.C parameters.  
Previous spec.  
(15/17/20ns part)  
280/275/270mA  
Updated spec.  
(15/17/20ns part)  
210/205/200mA  
Items  
Icc  
1.4. Add the test condition for VOH1 with Vcc=5V±5% at 25°C.  
1.5. Add timing diagram to define tWP1 as ²(Timing Wave Form of  
Write Cycle(OE=Low fixed)².  
Rev.2.0  
Rev.2.1  
2.1 Add extended and industrial temperature range parts.  
Add 44-TSOP2 Package.  
Feb. 25th, 1998  
Dec. 14th, 1998  
Final  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev 2.1  
December 1998  
- 1 -  
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