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KBPC35005W

更新时间： 2024-02-26 10:00:44
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2页 425K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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KBPC35005W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：S-XUFM-W4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：50 V
外壳连接：ISOLATED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：S-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：400 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：35 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

KBPC35005W 数据手册

 浏览型号KBPC35005W的Datasheet PDF文件第2页 
KBPC  
MB  
35005W 3505W  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
THRU  
RECTIFIER SPECIALISTS  
KBPC  
MB  
R
3510W 3510W  
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts  
CURRENT - 35 Amperes  
FEATURES  
* Metal case Maximum Heat Dissipation  
* Surge overload ratings-400 Amperes  
* Low forward voltage drop  
MB-25W  
TYP  
MECHANICAL DATA  
* Case: Metal, electrically isolated  
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E, Method 208 guaranteed  
* Polarity: As marked  
* Mounting position: Any  
* Weight: 30 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
KBPC  
KBPC  
KBPC  
3502W  
KBPC  
3504W  
KBPC  
3506W  
KBPC  
KBPC  
35005W 3501W  
3508W 3510W  
UNITS  
Volts  
MB3505WMB351W MB352W MB354W MB356W MB358W MB3510W  
SYMBOL  
V
RRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
RMS  
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
100  
400  
35  
1000  
Volts  
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 55o  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
C
I
O
Amps  
I
FSM  
Amps  
Volts  
400  
Maximum Forward Voltage Drop per element at 17.5A DC  
V
F
1.1  
10  
Maximum DC Reverse Current at Rated  
@T  
@TA = 100oC  
A
= 25oC  
I
R
uAmps  
DC Blocking Voltage per element  
500  
I2t Rating for Fusing (t<8.3ms)  
I2t  
664  
A2Sec  
pF  
0C/W  
Typical Junction Capacitance ( Note1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
CJ  
300  
RθJ C  
2.2  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
0 C  
NOTES : 1.Measured at 1 MH  
Z and applied reverse voltage of 4.0 volts  
2. Thermal Resistance from Junction to Case per leg.  
270  
EXIT  
BACK  
NEXT  
12

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