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KBJ401G

更新时间： 2024-01-21 09:17:45
品牌 Logo 应用领域
CHENG-YI /
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE

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KBJ401G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3/e4
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2.3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN/SILVER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

KBJ401G 数据手册

 浏览型号KBJ401G的Datasheet PDF文件第2页 
RS4005G thru RS410G  
KBJ4005G thru KBJ410G  
SSIINNGGLLEE--PPHHAASSEE SSIILLIICCOONN BBRRIIDDGGEE  
CCHHEENNGG--YYII  
ELECTRONIC  
VOLTAGE RANGE  
50 TO 1000 VOLTS  
CURRENT  
4.0 Amperes  
.189(4.8)  
.173(4.4)  
.150(3.8)  
.992(25.2)  
.916(26.0)  
.118(3.0)X45  
.134(3.4)  
.134(3.4)  
.122(3.1)  
FEATURES  
+
~
~
-
Rating to 1000V PRV  
Ideal for printed circuit board  
Realiable low cost construction utilizing  
molded plastic technique  
.114(2.9)  
.098(2.5)  
.043(1.1)  
.035(0.9)  
Plastic material has Underwriters Laboratory  
flammability classification 94V-O  
Lead solderable per MIL-STD-202 Meyhod 208  
Surge overload rating to 120 Amperes peak  
Polarity symbols molded on body  
Mounting position:Any  
.030(7.70)  
.287(7.30)  
.043(1.1)  
.031(.80)  
All Dimensions in inches and (millimeters)  
Weight:0.16 ounce 4.6 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RS4005G RS401G RS402G RS404G RS406G RS408G RS410G  
KBJ4005G KBJ401G KBJ402G  
KBJ404G KBJ406G KBJ408G KBJ410G  
UNITS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
100  
1000  
Maximum Average Forward  
V(AV)  
4.0  
120  
1.0  
A
A
V
0
Rectified Current @ T =115 C  
C
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
(JEDEC METHOD)  
IFSM  
Maximum DC Forward Voltage  
drop per element at 2.0A DC  
V
F
0
Maximum DC Reverse Current at rated @ =250 C  
A
T
5
500  
A
A
IR  
0
T
=125 C  
A
DC Blocking Voltage per element  
@
C
J
Typical Junction Capacitance ( Note 1)  
Typical Thermal Resistance ( Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
F
P
40  
0
R
JC  
5.5  
C/W  
0
T
J
-55 to +150  
-55 to +150  
C
0
TSTG  
C
Notes:1.Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0v DC 2.Thermal Resistance Junction to Case  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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