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K8S2815EBE-DE7C0

更新时间： 2024-01-26 17:19:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
55页	1039K
描述
Flash, 8MX16, 70ns, PBGA44, 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44

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K8S2815EBE-DE7C0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：	BOTTOM	JESD-30 代码：	R-PBGA-B44
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
Base Number Matches：	1

K8S2815EBE-DE7C0 数据手册

Rev. 1.0, Nov 2010

K8S2815ET(B)E

128Mb E-die NOR FLASH

44FBGA, 7.7x6.2, 0.5mm ball pitch

8M x16, Muxed Burst, Multi Bank

datasheet

SAMSUNG ELECTRONICS RESERVES THE RIGHT TO CHANGE PRODUCTS, INFORMATION AND

SPECIFICATIONS WITHOUT NOTICE.

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