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K4F640811B-TC50

更新时间： 2024-02-16 20:18:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 370K
描述
Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4F640811B-TC50 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP32,.46
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：32
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.09 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4F640811B-TC50 数据手册

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K4F660811B,K4F640811B  
CMOS DRAM  
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 8,388,608 x 8 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), package type (SOJ or TSOP-II) are optional fea-  
tures of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. This 8Mx8 Fast  
Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption  
and high reliability.  
FEATURES  
• Fast Page Mode operation  
• Part Identification  
- K4F660811B-JC(5.0V, 8K Ref.)  
- K4F640811B-JC(5.0V, 4K Ref.)  
- K4F660811B-TC(5.0V, 8K Ref.)  
- K4F640811B-TC(5.0V, 4K Ref.)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Fast parallel test mode capability  
• TTL(5.0V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• +5.0V±10% power supply  
Speed  
-45  
8K  
4K  
715  
660  
605  
550  
495  
440  
-50  
-60  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
K4F660811B*  
K4F640811B  
8K  
4K  
RAS  
CAS  
W
64ms  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
: 4K cycle/64ms  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Data in  
Buffer  
Memory Array  
8,388,608 x 8  
Cells  
DQ0  
to  
DQ7  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
• Performance Range  
Speed  
Data out  
Buffer  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
80ns  
90ns  
110ns  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
OE  
-45  
-50  
-60  
31ns  
35ns  
40ns  
A0~A9  
(A0~A10)*1  
Column Decoder  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4F640811D-TC600 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4F640812C-JC500 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F640812C-JC60 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F640812C-JL45 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F640812C-JL50 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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