5秒后页面跳转
K1121-K60 PDF预览

K1121-K60

更新时间: 2022-12-18 08:25:53
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 电容器
页数 文件大小 规格书
17页 323K
描述
Multilayer Chip Capacitors

K1121-K60 数据手册

 浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K1121-K60的Datasheet PDF文件第7页 
Product range  
X7R/B characteristic  
1)  
Size  
inch  
0402  
0603  
0805  
1206  
mm  
1005  
1608  
2012  
3216  
Type  
B37921  
B37931  
B37941  
B37872  
25 50  
V
(Vdc)  
16  
25  
16  
25  
50  
100  
16  
25  
50  
100  
16  
R
100 pF  
120 pF  
150 pF  
180 pF  
220 pF  
270 pF  
330 pF  
390 pF  
470 pF  
560 pF  
680 pF  
820 pF  
1,0 nF  
1,2 nF  
1,5 nF  
1,8 nF  
2,2 nF  
2,7 nF  
3,3 nF  
3,9 nF  
4,7 nF  
5,6 nF  
6,8 nF  
8,2 nF  
Chip thickness (s):  
0,5 ± 0,1 mm  
0,6 ± 0,1 mm  
0,8 ± 0,1 mm  
1,2 ± 0,1 mm  
1) I × b (inch) / l × b (mm)  
28  
Siemens Matsushita Components  

与K1121-K60相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K1121NC320 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 2200A I(T)RMS, 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element,

获取价格

K1121NC320 LITTELFUSE 中压应用对相控晶闸管提出了更高的要求。 为了满足这些需求,我们开发了一系列针对中压应用和串

获取价格

K1121NC340 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 2200A I(T)RMS, 3400V V(DRM), 3400V V(RRM), 1 Element

获取价格

K1121NC360 IXYS Silicon Controlled Rectifier, 2200A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,

获取价格

K1121NC360 LITTELFUSE 中压应用对相控晶闸管提出了更高的要求。 为了满足这些需求,我们开发了一系列针对中压应用和串

获取价格

K1122-K60 ETC Multilayer Chip Capacitors

获取价格