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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.04 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K1109G-J33-AE3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| K1109G-J33-AQ3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| K1109G-J34-AC3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| K1109G-J34-AQ3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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| K1109G-J35-AC3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| K1109G-J35-AE3-R | UTC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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