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K0769NC650

更新时间： 2024-02-24 09:50:55

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IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
11页	274K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1506A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element,

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K0769NC650 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	300 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	1506 A
断态重复峰值电压：	6500 V	重复峰值反向电压：	6500 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

K0769NC650 数据手册

WESTCODE ^AnIXYS Company

Curves

Medium Voltage Thyristor Types K0769NC600 to K0769NC650

Figure 1 - On-state characteristics of Limit device

Figure 2 - Transient thermal impedance

10000

K0769NC600-650

Issue 1

K0769NC600-650

Issue 1

0.1

0.01

SSC

0.048K/W

DSC

0.024K/W

T_j= 25°C

T_j= 115°C

1000

0.001

0.0001

0.00001

0.000001

100

1E-05 0.0001 0.001

0.01

Time (s)

0.1

100

Instantaneous On-state voltage - V_TM(V)

Figure 3 - Gate characteristics - Trigger limits

Figure 4 - Gate characteristics - Power curves

K0769NC600-650

Issue 1

K0769NC600-650

Issue 1

T_j=25°C

Max V_Gdc

I_GT, V_GT

P_GMax 30W dc

Min V_Gdc

P_G2W dc

I_GD, V_GD

Min V_Gdc

0.25

0.5

0.75

Gate Current - I_G(A)

Data Sheet. Types K0769NC600 to K0769NC650 Issue 1

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August, 2002

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