5秒后页面跳转
K0566LG520 PDF预览

K0566LG520

更新时间: 2024-02-09 04:57:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
11页 459K
描述
TRIAC,

K0566LG520 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.72JESD-30 代码:O-CXDB-X3
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
触发设备类型:TRIACBase Number Matches:1

K0566LG520 数据手册

 浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K0566LG520的Datasheet PDF文件第7页 
WESTCODE An IXYS Company  
Medium Voltage Thyristor Types K0566L#440 to K0566L#520  
Characteristics  
PARAMETER  
MIN.  
TYP. MAX. TEST CONDITIONS (Note 1)  
UNITS  
VTM  
VTM  
VT0  
rT  
Maximum peak on-state voltage  
Maximum peak on-state voltage  
Threshold voltage  
-
-
2.25 ITM=500A  
4.05 ITM=1500A  
1.36  
V
V
-
-
-
-
V
Slope resistance  
-
-
1.79  
mΩ  
V/µs  
mA  
mA  
V
(dv/dt)cr Critical rate of rise of off-state voltage  
1000  
-
-
VD=80% VDRM, linear ramp, gate o/c  
IDRM  
IRRM  
Vtr  
Peak off-state current  
Peak reverse current  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50  
50  
-
Rated VDRM  
Rated VRRM  
On-state recovery voltage  
Gate trigger voltage  
10  
-
IT=2×IT(AV)M, tp=10ms, Tcase=25°C  
VGT  
IGT  
VGD  
IH  
3.0  
300  
V
Tj=25°C.  
VD=10V, IT=3A  
Gate trigger current  
-
mA  
V
Gate non-trigger voltage  
Holding current  
-
0.25 Rated VDRM  
1000 Tj=25°C  
-
mA  
µs  
µs  
µC  
µC  
A
tgd  
Gate-controlled turn-on delay time  
Turn-on time  
0.6  
1.2  
2200  
1000  
100  
20  
1.0  
VD=57% VDRM, IT=800A, di/dt=10A/µs,  
I
FG=2A, tr=0.5µs, Tj=25°C  
tgt  
2.0  
Qrr  
Qra  
Irm  
Recovered charge  
2400  
Recovered charge, 50% chord  
Reverse recovery current  
Reverse recovery time, 50% chord  
-
-
-
I
TM=500A, tp=1000µs, di/dt=10A/µs,  
Vr=100V  
trr  
µs  
I
TM=1000A, tp=1000µs, di/dt=10A/µs,  
Vr=100V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/µs  
TM=1000A, tp=1000µs, di/dt=10A/µs,  
Vr=100V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=200V/µs  
-
-
650  
900  
-
-
tq  
Turn-off time  
µs  
I
-
-
-
0.032 Double side cooled  
K/W  
K/W  
kN  
RthJK  
Thermal resistance, junction to heatsink  
-
-
0.064 Single side cooled  
F
Mounting force  
Weight  
10  
-
20  
-
Wt  
340  
g
Notes:-  
1) Unless otherwise indicated Tj=125°C.  
2) For other clamp forces consult factory.  
Provisional Data Sheet. Types K0566L#440 to K0566L#520 Issue 1  
Page 2 of 11  
July, 2008  

与K0566LG520相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K05DD150P080AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格

K05DD150P160AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格

K05DD200P080AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格

K05DD200P160AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格

K05DD250P080AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格

K05DD250P160AAA KYOCERA AVX 本公司利用丰富的封装技术生产制造模块产品,并投放到工业和车载市场。现在社会要求有效用电,在

获取价格