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K0443LC650

更新时间： 2023-12-06 20:13:10

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
12页	550K
描述
中压应用对相控晶闸管提出了更高的要求。为了满足这些需求，我们开发了一系列针对中压应用和串联运行进行优化的晶闸管。随着电压的增加，开关损耗和关断时间也会增加，到达一定程度后会在线路频率应用中变得

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K0443LC650 数据手册

Type K0443L#600 to K0443L#650 Issue 2

Characteristics

PARAMETER

MIN.

TYP. MAX. TEST CONDITIONS (Note 1)

UNITS

V_TM

V_T0

r_T

Maximum peak on-state voltage

Threshold voltage

2.80 I_TM=500A

4.83 I_TM=1350A

1.568

Slope resistance

2.428

m

V/s

(dv/dt)_crCritical rate of rise of off-state voltage

1000

V_D=80% V_DRM, linear ramp, gate o/c

I_DRM

I_RRM

V_tr

Peak off-state current

Peak reverse current

Rated V_DRM

Rated V_RRM

On-state recovery voltage

Gate trigger voltage

9.0

I_T=2×I_T(AV)M, t_p=10ms, T_case=25°C

V_GT

I_GT

V_GD

I_H

3.0

300

T_j=25°C.

V_D=10V, I_T=3A

Gate trigger current

Gate non-trigger voltage

Holding current

0.25 Rated V_DRM

1000 T_j=25°C

1.2

µs

µC

t_gd

Gate-controlled turn-on delay time

Turn-on time

0.6

6.0

3100

2100

130

V_D=67% V_DRM, I_T=1000A, di/dt=10A/µs,

I_FG=2A, t_r=0.5µs, T_j=25°C

t_gt

9.0

Q_rr

Q_ra

I_rm

Recovered charge

3875

Recovered charge, 50% chord

Reverse recovery current

Reverse recovery time, 50% chord

I_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=10A/µs,

V_r=50V

t_rr

µs

I_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=10A/µs,

V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=20V/µs

I_TM=1000A, t_p=1000µs, di/dt=10A/µs,

V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/µs

800

t_q

Turn-off time

µs

1100

0.032 Double side cooled

K/W

R_thJK

Thermal resistance, junction to heatsink

0.064 Single side cooled

Mounting force

Weight

W_t

340

Notes:-

1) Unless otherwise indicated T_j=115°C.

2) For other clamp forces consult factory.

Data Sheet. Types K0443L#600 to K0443L#650 Issue 2

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