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JMPL1050AGQ

更新时间： 2023-12-06 20:03:27

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捷捷微 - JJM		/
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描述
汽车 MOSFET

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JMPL1050AGQ 数据手册

JMPL1050AGQ

-100V 36m P-Ch Power MOSFET

Features

Product Summary

Parameter

Value

Unit

•

Low ON-resistance, R_DS(ON)

Excellent Gate Charge x R_DS(ON)Product (FOM)

V_DS

-100

-2.0

-29

V_{GS(th)_Typ}

I_D(@ V_GS= -10V) ⁽¹⁾

100% UIS and R_gTested

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= -10V)

R_{DS(ON)_Typ}(@ V_GS= -4.5V)

m

Pb-free Lead Plating

Halogen-free and RoHS-compliant

AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

PDFN5x6-8L

Pin Configuration

Top View

Bottom View

Ordering Information

Device

T_J(°C)

Package

# of Pins

Marking

MSL

Media

Quantity (pcs)

JMPL1050AGQ-13

PDFN5x6-8L

PL1050AQ

-55 to 150

13-inch Reel

5000

Absolute Maximum Ratings (@ T_A= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Value

Symbol

V_DS

Unit

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

-100

±20

V_GS

T_C= 25°C

-29

Continuous Drain

Current ⁽¹⁾

I_D

T_C= 100°C

-18

Pulsed Drain Current ⁽²⁾

Avalanche Current ⁽³⁾

Avalanche Energy ⁽³⁾

I_DM

I_AS

-80

-27

E_AS

109

T_C= 25°C

Power Dissipation ⁽⁴⁾

P_D

T_C= 100°C

Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

°C

R_DS(ON)vs. V_GS

Gate Charge

150

120

V_DS= -50V

I_D= -15A

-V_GS(V)

Q_g(nC)

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers

Rev. 1.3

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