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JC327

更新时间： 2024-01-12 05:57:39

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
PNP general purpose transistor

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JC327 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

JC327 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP general purpose transistor

JC327

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

0.2

UNIT

R_{th j-a}

thermal resistance from junction to ambient note 1

K/mW

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit-board.

CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

I_CBO

PARAMETER

CONDITIONS

I_E= 0; V_CB= −20 V

MIN. TYP. MAX. UNIT

collector cut-off current

−

−100 nA

−5 µA

I_E= 0; V_CB= −20 V; T_j= 150 °C

I_C= 0; V_EB= −5 V

I_EBO

h_FE

emitter cut-off current

DC current gain

JC327-25

−100 nA

I_C= −100 mA; V_CE= −1 V

160

−

400

h_FE

V_CEsat

V_BE

C_c

DC current gain

I_C= −500 mA; V_CE= −1 V

−

collector-emitter saturation voltage I_C= −500 mA; I_B= −50 mA

−700 mV

base-emitter voltage

collector capacitance

transition frequency

I_C= −500 mA; V_CE= −1 V; note 1

I_E= i_e= 0; V_CB= −10 V; f = 1 MHz

−

−1.2

−

f_T

I_C= −10 mA; V_CE= −5 V;

−

MHz

f = 100 MHz

Note

1. V_BEdecreases by about −2 mV/K with increasing temperature.

1999 Apr 27

1 234 5 6 7 8

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